„IBM“ skelbia apie naują „daugiabučio namo“ tipo projektavimo proveržį itin mažų mikroschemų srityje
„IBM“ pristatė naują mikroschemos projektą, kuris, kaip teigia bendrovė, leistų gamintojams sutalpinti 100 milijardų tranzistorių ant silicio mikroschemos, kurios dydis prilygsta nagui.
Dabartinis pramonės standartinis mikroschemų dydis, matuojamas nanometrais – milijardąja metro dalimi, atitinkančia kelių atomų dydį – yra apie du nanometrus (nm).
Tačiau „IBM“ teigia, kad jos naujoji mikroschemų technologija prilygsta maždaug 0,7 nm, o tai reiškia, kad ji gali tapti pirmąja žinoma pasaulyje mikroschemų technologija, kurios dydis yra mažesnis nei 1 nm.
Vis dėlto praeis keleri metai, kol ši mikroschemų technologija bus paruošta serijinei gamybai.
Įmonė teigia, kad bandymų metu jos prototipas pasirodė 50 % geriau nei jos pačios 2 nm lustas ir buvo 70 % energijos taupesnis.
Panašų našumo padidėjimą įmonė teigė ir 2021 m., kai pristatė savo 2 nm mikroschemų technologiją – tuomet ji teigė, kad šių, šiek tiek didesnių, mikroschemų bandymai parodė panašų našumo ir energijos efektyvumo šuolį.
„IBM Research“ direktorius ir „IBM Fellow“ Jay Gambetta apibūdino „NanoStack“ technologiją kaip „istorinį momentą“ mikroschemų ateičiai.
„Naudodami naująją „NanoStack“ architektūrą, mes ne tik gaminame mažesnius tranzistorius, bet ir iš naujo išradinėjame mikroschemų gamybos būdus, kad užtikrintume žymiai didesnį našumą ir energijos efektyvumą“, – sakė jis.
Tranzistoriai yra silicio lustų sudedamosios dalys, kurios užtikrina skaičiavimo galią pasaulio elektronikos prietaisams, įskaitant išmaniuosius telefonus, žaidimų konsoles ir nešiojamuosius kompiuterius.
Jie taip pat tapo nepakeičiami galinguose duomenų centrų kompiuteriuose, apdorojančiuose įvairias kasdienes skaitmenines veiklas – nuo transliacijų iki internetinės bankininkystės – ir skatinančiuose generatyvinės dirbtinio intelekto plėtrą.
Kuo daugiau tranzistorių gamintojai sugeba sutalpinti mikroschemoje, tuo galingesnė tampa mikroschema, o kartu – tuo daugiau funkcijų gali atlikti įrenginiai.
Tuo pačiu metu projektuotojai stengiasi pačias mikroschemas padaryti vis mažesnes.
Jau dešimtmečius tranzistorių, kuriuos galima sutalpinti į lustą, skaičius kas dvejus metus padvigubėja: šis reiškinys žinomas kaip Mūro dėsnis.
Tačiau dabar, kai kai kuriuose lustuose yra milijardai tranzistorių, šį tempą išlaikyti tampa vis sunkiau, o ekspertai iš esmės sutaria, kad toks augimo tempas negali tęstis neribotą laiką.
„IBM“ pristatė naują mikroschemos projektą, kuris, kaip teigia kompanija, leistų gamintojams sutalpinti 100 milijardų tranzistorių ant silicio mikroschemos, kurios dydis prilygsta nagui.
Dabartinis pramonės standartinis mikroschemų dydis, matuojamas nanometrais – milijardąja metro dalimi, atitinkančia kelių atomų dydį – yra apie du nanometrus (nm).
Tačiau „IBM“ teigia, kad jos naujoji mikroschemų technologija prilygsta maždaug 0,7 nm, o tai reiškia, kad tai gali būti pirmoji pasaulyje žinoma mikroschemų technologija, kurios dydis yra mažesnis nei 1 nm.
Vis dėlto praeis keleri metai, kol ši mikroschemų technologija bus paruošta serijinei gamybai.
Įmonė teigia, kad bandymų metu jos prototipas pasirodė 50 % geriau nei jos pačios 2 nm lustas ir buvo 70 % energijos taupesnis.
Panašų našumo padidėjimą įmonė teigė ir 2021 m., kai pristatė savo 2 nm mikroschemų technologiją – tuomet ji teigė, kad šių, šiek tiek didesnių, mikroschemų bandymai parodė panašų našumo ir energijos efektyvumo šuolį.
„IBM Research“ direktorius ir „IBM Fellow“ Jay Gambetta apibūdino „NanoStack“ technologiją kaip „istorinį momentą“ mikroschemų ateičiai.
„Naudodami naująją „NanoStack“ architektūrą, mes ne tik gaminame mažesnius tranzistorius, bet ir iš naujo išradinėjame mikroschemų gamybos būdus, kad užtikrintume žymiai didesnį našumą ir energijos efektyvumą“, – sakė jis.
Tranzistoriai yra silicio mikroschemų sudedamosios dalys, kurios užtikrina skaičiavimo galią pasaulio elektronikos prietaisams, įskaitant išmaniuosius telefonus, žaidimų konsoles ir nešiojamuosius kompiuterius.
Jie taip pat tapo nepakeičiami galinguose duomenų centrų kompiuteriuose, apdorojančiuose įvairias kasdienes skaitmenines veiklas – nuo transliacijų iki internetinės bankininkystės – ir skatinančiuose generatyvinės dirbtinio intelekto plėtrą.
Kuo daugiau tranzistorių gamintojai sugeba sutalpinti mikroschemoje, tuo galingesnė tampa mikroschema, o kartu – tuo daugiau funkcijų gali atlikti įrenginiai.
Tuo pačiu metu projektuotojai stengiasi pačias mikroschemas padaryti vis mažesnes.
Jau dešimtmečius tranzistorių, kuriuos galima sutalpinti į lustą, skaičius kas dvejus metus padvigubėja: šis reiškinys žinomas kaip Mūro dėsnis.
Tačiau dabar, kai kai kuriuose lustuose yra milijardai tranzistorių, šį tempą išlaikyti tampa vis sunkiau, o ekspertai iš esmės sutaria, kad toks augimo tempas negali tęstis neribotą laiką.
